欧宝娱乐平台网站:常用电子元器材的运用
作者:欧宝娱乐下载平台} 发布时间:2022-08-17 10:44:06

  常用电子元器材运用 2.1二极管 2.2三极管 2.3晶闸管 2.4场效应管 2.1 二极管 区分办法及品种 一般二极管 整流二极管 解 说 常见的二极管 专门用于整流的二极管 专用于指示信号的二极管,能宣布可见光 按功用 发光二极管 区分 稳压二极管 光敏二极管 依照材 硅二极管 料区分 锗二极管 按外部 塑封二极管 封装材 金属封装二极管 料区分 玻璃封装二极管 专门用于稳压的二极管 对光有灵敏效果的二极管 硅资料二极管,常用的二极管 锗资料二极管 很多运用的二极管运用这种封装资料 大功率整流二极管检查这种封装资料 检波二极管检查这种封装资料 ? 二极管外形特征和电路符号 二极管外形特征: 1)二极管共有两个引脚, 两个引脚轴向伸出; 2)二极管的体积不大,比 一般电阻要小些; 3)部分二极管的外壳上 标有二极管电路符号. 此三角形表 示电流方向 电流方向 正极,电流从 正极流向负极 负极 二极管电路符号识图信息 二极管只要两个引脚:电路符号中已表明出了这两个引脚; 电路符号中表明出二极管的正负极性:三角形底边这端为正极, 另一端为负极。 电路符号 名 称 解 说 新电路符号 电路符号中表明出两根引脚,经过三角 形表明正极、负极引脚. 比较新旧两种符号的不同之处是,三角 形老符号要涂黑,新符号不涂黑. 在一般二极管符号的基础上,用箭头形 象的表明了这种二极管可以发光。 它的电路符号与一般二极管电路符号不 同之处在于负极表明办法不同。 旧电路符号 发光二极管 符号 稳压二极管 符号 二极管导通和截止作业状况判别办法 电压极性及状况 作业状况 + 正向偏置电压足够大 二极管正导游通,两引脚间电阻很小. - 正向偏置电压不够大 二极管不足以正导游通,两引脚间内阻 还比较大. - 反向偏置电压不太大 二极管截止,两个引脚之间的内阻很大. 二极管反向击穿,两引脚之间内阻很小, 二极管无单导游电性,二极管损坏. + 反向偏置电压很大 二极管主要参数 参数称号 符号 解 说 最大整流电流 Im 是指二极管长期正常作业下, 答应经过二极管的最大正向电流 值。 是指二极管加上规则的反向偏置 电压情况下,同过二极管的反向 电流值。 反向电流 Ico 二极管作业时接受最大的反向电 最大反向作业 Urm 压值,它约等于反向击穿电压的 电压 一半。 最高作业频率 Fm 二极管坚持杰出的作业特性的最 高频率。 常见二极管 二极管正负引脚表明办法 银色环表明 负极引脚 负极引脚 正极引脚 负极 正极 常见的标示方式 正极 色点标示 负极 外壳上标出 电路符号 正极 负极 电路符号极性标示 外形特征辨认二 极管极性办法 二极管正反向特性 以O为坐标原点,以加在 二极管两头的电压U为横轴、流过 二极管的电流为纵轴树立直角坐 标系,各轴的方向表明施与二极 管的电压和电流方向。榜首象限 曲线反映了二极管的正向特性; 第三象限曲线反映其反向特性。 反向击 穿电压 UZ I1 O U1 U 正导游 通电压 I 正向 特性 曲线 反向特 性曲线 给二极管加的正向电压小于某但凡值U1 (硅:0.6V,锗: 0.2)时,正向电流很小,且小于I1 。当正向电压大与U1后, 正向电流I随U的大吹大擂增大而剧增。将U1称为开始电压。 给二极管加的反向电压小于某但凡值UZ (Urm)时,反向电 流很小,当反向电压大与等于UZ后,反向电流I敏捷增大而处 于电击穿状况。将UZ 称为反向击穿电压。 2.2 三极管 半导体三极管是最重要的半导体器材,是电子电路中 的中心器材,被广泛应用到了各种电子线路中,是电子线路 的魂灵。 双极型三极管的根本结构类型和符号 双极型晶体管分有NPN型和PNP型,尽管它们外形各异, 品种繁多,但它们的一起特征相同:都有三个分区、两个PN 结和三个向外引出的电极: 发射区 基区 集电区 P N P 发射极e N 发射结 P N 集电结 PNP型 基极b NPN型 依据描述工艺和资料的不同,三极管分有双极型和单极型 两品种型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同 时参加导电,便是所谓的双极型。假如只要一种载流子参加 导电,即为单极型。 大功率低频三极管 c b e 中功率低频三极管 c b 小功率高频三极管 NPN型三极管图 符号 PNP型三极管图 符号 e 晶体管完成电流扩大效果的外部条件 (1)发射结有必要“正向偏置”,以利于发射区电子的分散, 分散 电流即发射极电流ie,分散电子的少量与基区空穴复合,形 成基极电流ib,大都持续向集电结边际分散。 (2)集电结有必要“反向偏置”,以利于搜集分散到集电结边际 的 大都分散电子,搜集到集电区的电子构成集电极电流ic。 整个过程中, IE 发射区向基区发 + IC N P N 射的电子数等于 - 基区复合掉的电 子与集电区搜集 + - 的电子数之和, 即: IE=IB+IC I B 输出特性曲线上一般可分为三个区: 饱满区。当发射结和 集电结均为正向偏置 时,三极管处于饱满 状况。此刻集电极电 流IC与基极电流IB之 间不再成比例联系, IB的改变对IC的影响 IC /mA 4 3 2.3 2 1.5 1 很小。 放 大 区 IB=100 ? A 80 ?60 A ?A 40 ?A 20 ? IA B=0 截止区。当基极 电流IB等于0时 ,晶体管处于截 止状况。实际上 当发射结电压处 在正向死区规模 时,晶体管就已 经截止,为让其 牢靠截止,常使 UBE小于和等于零 。 I CS ? VCC ? VCES ? VCC / RC RC 0 UCE / V 接近饱满基极电流 I BS ? I CS / ? 晶体管作业在扩大状况时,发射结正 偏,集电结反偏。在扩大区,集电极电 流与基极电流之间成β倍的数量联系, 即晶体