欧宝娱乐平台网站:择善而从:理性面临电子元器材提价潮
作者:欧宝娱乐下载平台} 发布时间:2022-08-12 01:15:50

  宣告将于2月底停产0402、0603尺度的104、105规范MLCC,而这些均为商场涨幅最大、商场最缺、用量最大的规范。

  3月2日,村田宣告将资源集中于商场需求高、出产难度大的小尺度先端产品和高功用产品,关于现已存在小型化代替品的“旧产品群”,不得不将出产才能下调至2017年的50%,并且往后也会继续缩小其产能。

  3月22日,国巨MLCC四月将再涨50%。旺季降临之前,被迫元件涨势建立,国巨将从4月1日起调涨全系列MLCC(积层陶瓷电容)价格,据悉均匀调涨协议落在40~50%,高于2月份的10~20%,等于调涨协议较2月提高2~2.5倍。

  因为国巨在缺货的MLCC规范上扮演全球目标,日、韩同业以及EMS厂收购均高度重视。尽管国巨没有正式宣告提价告诉,不过有媒体传出国巨将从4月1日起履行新的价格,途径商亦证明国巨现已发动新一波调涨举动,估计自4月1日起调涨0201~1206规范的MLCC,均匀调涨协议到达40~50%。

  途径商表明,这一波调涨同等全系列调涨,国巨于3月份与客户议价时就现已直接加价,是否追加提价告诉已没太大含义。

  自2016年下半年开端至今,MLCC因为供应严峻而导致价格开端暴升,以MLCC为代表的电容也大幅缺货提价,全体提价区间在4-5倍左右,部分物料涨幅达20倍,一颗本来几毛钱的电容价现已涨到了芯片价。但即便如此,商场上依然是求过于供。在村田抢夺总裁丸山英毅看来,MLCC缺货状况要到2018年末才干有所缓解。

  至于固态电容方面,因为挖矿热潮不退,铝电厂的挖矿订单现已排到6月今后,制作商、通路商称颂发动提价机制,通路商描述,固态电容供需缺口乃至超越MLCC。

  尽管各国政府压抑虚拟稍微风潮,可是挖矿热潮仍旧魅力不减,特别挖矿机全时作业,主机板消耗量高,耗费快,是一般PC的3倍,固态电容虽是日商全国,挖矿机却放弃高单价的日货,全力拥抱台厂,对被迫组件的消耗量发生乘数作用,台厂为首要受惠者。

  固态电容因供需缺口扩展,加上日货现已调涨,国内的立隆、钰邦也跟进调涨,通路商开端反响原厂调涨的协议,通路商表明,固态电容因缺少龙头级大厂定调景气,相对比较寂静,可是从供需状况来看,市况相同炽热,供需缺口超越MLCC。

  本年年初,尼吉康宣告告诉,宣告对其铝电解电容产品价风格涨5%,拉开了本年铝电解电容的提价前奏。紧接着继日系厂商之后,台系厂商也调涨铝电解电容价格,台湾被迫元件厂商智宝日前也发布了提价告诉,宣告对其铝电解电容产品全线调涨,涨幅因产品而异,6%~12%不等。

  3月19日,媒体引援署理商日电贸的信息称,上一年日系厂商部份调涨铝质电解电容,相关效益亦闪现,现在第2季受铝箔本钱增加下,铝质电容和固态电容厂传出拟再度提价音讯。

  据悉,铝电解电容提价主因铝箔本钱高涨,一方面因铝价上升,另一方面抢夺的环保方针也影响铝箔的供应,上游厂商提价,形成下流铝质电容、固态电容不得不跟进提价,之前各厂商都是挑单让均匀价格增加,本年第2季起有或许呈现全面性的提价

  据外媒连累,欧盟(EU)欧洲委员会21日确定贵弥功(Nippon Chemi-con)等9家日本企业违背EU竞赛法(日本的独占制止法),针对广泛运用于才智手机、家电、轿车零件等用处的铝质电解电容/坦质电解电容进行价格独占,因而对其间的8家企业算计开出约2.54亿欧元(约330亿日圆)的罚款。

  欧洲委员会指出,贵弥功等9家企业于1998年-2012年期间为了防止价格竞赛、私自沟通价格情报,其间贵弥功遭罚9,790万欧元(约7.64亿人民币),罚金最高;其次为Nichicon的7,290万欧元(约5.69亿人民币);日立化成遭罚约1,800万欧元(约1.4亿人民币)。

  事实上,被迫器材厂商被处分已不罕见。这也不是榜首次,近两三年就有以下2次大重罚:

  在本年1月5日,新加坡竞赛委员会(CCS)对五家铝电解电容器制作企业的许诺卡特尔行为开出新加坡反独占前史上的“创纪录”罚单,罚款总额算计19,552,464新加坡元(近1亿元人民币)。

  这五家企业别离为松下(Panasonic)、尼吉康(Nichicon)、ELNA、红宝石(Rubycon)和贵弥功(Chemi-con)。其间,松下因最先向CCS请求广大而免于罚款。

  五家公司的串谋独占活动,又称卡特尔(cartel),早在1997年开端,公司高层简直每个月都会到新加坡开会,直到2013年中止。期间,这五家企业长时刻从事独占协议行为,包含固定价格以及沟通触及新加坡客户的出售、定价等保密信息。并且,这五家企业占有新加坡相关商场的勇猛超越三分之二。在查询过程中,CCS与美国、欧盟、日本以及台湾地区的竞赛法律密切进行了沟通与协作。

  五家电容器制作商串谋独占商场,遭新加坡竞赛局罚款超越1955万元,是当局至今施行的最高罚款。

  五家遭罚款的公司都是日本电容器制作商在本地的子公司。它们是Elna电子、尼吉康新加坡(Nichicon)、松下工业设备新加坡和马来西亚(Panasonic)、Rubycon新加坡,以及新加坡贵弥功(Chemi-con)。

  几家被处分的公司出售的涉案产品是铝电解质电容器,运用该零件的设备包含电脑、扩音器、电视机、洗衣机、冰箱等。查询显现,五家公司尽管是竞赛对手,却守时在新加坡召开会议,沟通秘要信息和商业灵敏信息,如客户评价、销量、产能、爽快规划、定价战略等。它们也在会议上评论和拟定价格,包含提价,并说好团体不让客户减价。

  ②、2008年经济危机和311强震浑水摸鱼,日本对五家电容器厂商开出高额罚金

  2016年3月,日本公平交易委员会发布新闻稿宣告,因违背独占制止法,故对贵弥功等日本 5 家铝质电解电容/钽质电解电容厂开罚,罚金算计为 66 亿 9,796 万日元。

  日本公平交易委员会指出,上述电容厂商于2010 – 2011年期间,以研究会的名字、或单个进行谈判,协商产品价格、一同决议涨幅。2008年雷曼风暴和2011年日本311强震时,因出售削减,故上述电容厂为了确保获利而进行了操控价格、联合独占行为。

  抢夺大陆:风华高科、宇阳、潮州三环、顺络、智伟、厦门法拉、中山万科、安徽铜峰、常州常捷、佛山创格、创硕达、塑镕、艾华、永铭、吉光电子、鸿益、凯琦佳、邦辰、宇顺塑胶、江海、利明、三莹、华威、升达、新元、三水日明、世峰、瑞灿、智旭、合众汇能、成功新能、创慧、纬迪、智胜新电子、黄山晶松、特锐祥、达利凯普、广州创天、火炬电子、金富康、海丰三力、海门三鑫、深圳鑫龙茂电子、南通同飞、天扬、奇发电子

  除了电容外,从2016年第二季度开端,包含固态硬盘、内存条、U盘乃至闪存卡在内的整个内存职业,也开端缓慢提价。

  进入2017年后,提价的气势并没有中止,整个存储职业反而掀起了新一轮的大幅提价潮。尽管到现在,几家内存大厂都有增产DRAM颗粒方案,并在大规模建厂扩建,但真实反应到产能上还要比及2019年。

  从供应端看,现在全球规模内从事NAND闪存颗粒的厂商有许多,但有商场定价才能的只要六家,别离是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、英特尔Intel)、海力士(SKhynix)、美光(Micron)和闪迪(SanDisk),这些企业简直独占了全球大部分闪存商场;而在需求端,全球智能手机商场、无人机商场以及服务器等商场的开展日新月异形成了闪存颗粒需求的陡增。

  尽管商场方面以为内存大幅上涨的原因无非便是供需失衡,但也有部分业内人士表明,此轮提价背面并非彻底由商场供需决议,也不扫除部分NAND Flash供应商有意为之的或许。

  事实上,因为闪存颗粒这一存储元器材的中心技能和出产都操控在三星等许诺大厂手中,在微弱的需求带动下,上游厂家坐地起价,赚得盆盈钵满。

  依据2018年1月9日三星电子发布的开端瓜熟蒂落陈述显现,公司2017年第四季度经营赢利同比装备63.8%,达15.1万亿韩元,创下前史新高,出售额也同比装备23.8%,达66万亿韩元。

  关于三星电子瓜熟蒂落的飙升,一些分析师指出,这首要得益于三星旗下的芯片爽快。“尽管三星电子Note7的爆炸事件对公司智能手机爽快构成极大影响,不过凭借着内存芯片爽快,三星电子在赢利上却呈现了大涨。”

  供应链厂商泄漏,其实占有DRAM职业绝大部分商场勇猛的三星电子、海力士(SK Hynix)、美光等原厂都在加快扩产出货,实践缺口不算大,但商场缺货声此伏彼起,很大一部分出货量都跑到署理商、交易商、华强北商场了。终端厂商想要拿货,这些署理、交易和分销商们天然会假势炒货,小幅放量,不断抬价。

  从上游DRAM原厂到下流终端厂商,扫除直供的大客户外,中小客户拿货往往要经过中心的署理商、交易商们。本年以来,这些署理商、交易商等便是炒货的投机者,那么他们是怎样炒DRAM的?

  据职业人士泄漏,署理商往往是根据自己的途径优势,经过原厂排单拿货,其价格会跟着原厂和商场行情动摇而不同。在拿到原厂订单后,署理商对出手的价格会有个心思预期,在商场缺货的行情中,小批放量,阶梯上涨。当然提价不能混为一谈,究竟许多署理商都是做长线生意。

  比较而言,交易商则不同,是这波DRAM囤货提价的主力之一。因为许多交易商因为各种原因,往往会从原厂先得到音讯,包含原厂库存、订单排期、出货状况等,一旦收到切当音讯后,这些交易商开端大举囤货,上涨的协议和囤货周期方面或许更甚于署理商。

  此外,深圳华强北商场则是现货流转的主力商场,当得知DRAM现货商场紧俏,供货严峻后,华强北的档主天然也会雷厉风行,乘势囤货,加剧现货流转的缺货行情,进一步蜕变价格,乃至华强北档主还会联合起来做庄,一致口径,一致价格,以获取更大的差价赢利。

  本年以来,凡是这些囤货倒卖DRAM的投机者,都在原厂的“提拔”下分到了一杯羹,而炒货获益最大的仍是三星电子等原厂。如果说署理商、交易商是DRAM炒货的托,那角儿天然是原厂了。

  光颉科技宣告提价告诉,告诉称因为厚膜电阻资料本钱(包材、浆料、电镀资料、陶瓷基板)大幅上涨,为了能继续健康友爱的协作下去,现再次调整,规模包含CR0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2515/2512/CN-43J/CN-42J封装贴片电阻排阻(以报价单为准)。

  3月5日,电阻厂商旺诠及天二科技宣告提价告诉,旺诠部分厚膜电阻单价调涨25%以上,天二科技部分产品调涨15%-30%。而在此之前,包含风华高科、丽智电子、华新科、厚声、国巨等现在均已宣告提价告诉,国巨和旺诠更是曾告诉称中止接单......

  据台湾媒体引援商场人士音讯报导,现在轿车电子、工业规范等运用芯片电阻均匀安全库存已低于30天,特定大厂电阻安全库存天数也降至35天到36天。

  电阻,业界指本年没有提价的电阻厂开端挑单出产,导致原先寄望抗衡国巨、防止价涨的订单回头涌向国巨,将有利于电阻厂在第2季维系涨势,商场传出部分赤字的规范涨幅逾1倍。

  抢夺大陆:风华高科、潮州三环、深圳顺络(Sunlord)、智伟、东莞宇顺塑胶、南通江海等等,不一一列举

  英特尔第二季将推出搭载Z390芯片组Coffee Lake处理器渠道,超微将推出第二代Zen+架构处理器渠道及新款Vega绘图卡,加上辉达(NVIDIA)新一代搭载Volta芯片绘图卡将进入出货。在英特尔、超微、辉达新渠道出货转旺下,金氧半场效电晶体(MOSFET)继续缺货,第二季价格喊涨5~10%。

  MOSFET上一年下半年以来继续缺货,本年以来因为6吋及8吋晶圆代工产能严峻吃紧,EPI磊晶矽晶圆相同求过于供,MOSFET产能无法很多开出,价格也跟着水涨船高,上半年累计涨幅可望上看10~15%。法人点名大中(6435)、尼克森(3317)、富鼎(8261)、杰力(5299)等概念股直接受惠,第二季接单全满,订单能见度看到第三季,营运一路看旺到年末。

  事实上,因为新一代电脑渠道及绘图卡的运算效能大幅提高,单机或单卡搭载的MOSFET数量,均匀较上代产品增加3~5成,但MOSFET商场遭到晶圆代工及EPI硅晶圆产能缺乏约束,供应量一向无法有用扩大,才会导致MOSFET在第二季缺货更为严峻。

  榜首季MOSFET需求微弱且价风格涨,包含大中、杰力等业者营收体现微弱,如杰力前2个月营收2.18亿元,较上一年同期大增71.6%,大中前2个月营收4.01亿元、富鼎前2个月营收3.45亿元,均较上一年同期生长逾4成。第二季MOSFET价格续涨,法人看好概念股营收将再冲高。

  抢夺台湾地区没有自己的晶圆公司,永久都要寄人篱下、看人脸色。”好几年前,现任举世晶圆董事长徐秀兰,还在股东会上压服股东支撑购并案;现在举世晶圆已从当年中美晶旗下半导体燃烧,摇身成为全世界第三大硅晶圆厂,仅次于日商信越、SUMCO,被称为“半导体铁娘子”的徐秀兰功不可没。

  举世晶圆为全球第三大硅晶圆供应商,在看好大陆商场下,于上一年中与日本精细设备厂Ferrotec宣告协作、在大陆打开8英寸硅晶圆作业,提高在8英寸市占率和全体营运绩效。现在全球硅晶圆供应方面,12英寸硅晶圆月产能约550~560万片,一线大厂已开端进行去瓶颈的扩产方法。需求面方面,全球每年约以复合生长率3%~5%生长,预估本年下半年在抢夺大陆需求继续增加下,月需求增至600万片左右,估计晶圆报价也将继续涨至第2季。

  受惠全球硅晶圆供应量生长有限下,现在8英寸、12英寸硅晶圆订单能见度别离已达2019上半年和年末。

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  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动运用程序的平板电脑和智能手机

  规范的参数查找 易于拜访密钥产品参数 部件号查找用于直接拜访特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字办理 产品功用同享经过电子邮件或交际媒体 适用于Android™或iOS™操作体系 在Wandoujia运用程序商铺,为抢夺用户供给 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上运用的手机运用程序供给经过在线产品组合中的一个用户友爱的代替查找,驱动用户运用以及便携式设备顺畅和简略的导航体会。参数查找引擎答运用户快速辨认出最适合其运用适宜的产品。此运用程序可在谷歌播映,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

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  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特色 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器方法):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(沟通或双极性作业方法) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器改写 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概况AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体,选用紧凑型封装。该器材既能够选用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够选用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可经过I²C兼容型数字接口操控。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝,并供给50次永久编程的时机。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻方位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保作业温度规模为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特色 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器方法):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(沟通或双极性作业方法) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器改写 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概况AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体,选用紧凑型封装。 该器材既能够选用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够选用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝,并供给50次永久编程的时机。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻方位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保作业温度规模为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特色 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差差错(电阻功用方法):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器方法):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请仁慈数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度规模:−55°C至+125°C 受操控作基线 仅有封装/测验厂 仅有制作厂 增强型产品改变告诉 认证数据可应要求供给 V62/12616 DSCC图纸号产品概况AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体,选用紧凑型封装。这些器材能够在宽电压规模内作业,支撑±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,称颂确保端到端电阻容差差错小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的确保低电阻容差差错特功用够简化开环运用,以及精细校准与容差匹配运用。AD5291和AD5292的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器材不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝,并供给20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特色 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻功用方法) 20次可编程 温度系数(变阻器方法):35 ppm/°C 温度系数(分压器方法):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请仁慈数据手册 产品概况AD5291/AD5292归于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,别离是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体,选用紧凑型封装。这些器材的作业电压规模很宽,既能够选用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够选用+21 V至+33 V单电源供电,称颂端到端电阻容差差错小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的确保低电阻容差差错特功用够简化开环运用,以及精细校准与容差匹配运用。AD5291/AD5292的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器材不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝,并供给20次永久编程的时机。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标方位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特色 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写维护功用 上电康复至EEMEM设置,改写时刻典型值为300 µs EEMEM重写时刻:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额定字节,可存储用户自界说信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预界说线性递加/递减一笔勾销 预界说±6 dB阶跃改变一笔勾销 欲了解更多信息,请仁慈数据手册产品概况AD5253/AD5254别离是64/256位、四通道、I2C®, 选用非易失性存储器的数字操控电位计,可完结与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功用。AD5253/AD5254具有多功用编程才能,能够供给多种作业方法,包含读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递加/递减、电阻以±6 dB的勇猛改变、游标设置回读,并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息,如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C操控器能够将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,体系上电时这些设置将主动康复至RDAC寄存器;也能够动态康复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特色 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写维护功用 上电康复为EEMEM设置,改写时刻典型值为300 µs EEMEM重写时刻:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额定字节,可存储用户自界说信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预界说线性递加/递减一笔勾销 预界说±6 dB阶跃改变一笔勾销 欲了解更多特性,请仁慈数据手册产品概况AD5253/AD5254别离是64/256位、四通道、I2C®, 选用非易失性存储器的数字操控电位计,可完结与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功用。AD5253/AD5254具有多功用编程才能,能够供给多种作业方法,包含读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递加/递减、电阻以±6 dB的勇猛改变、游标设置回读,并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息,如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C操控器能够将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,体系上电时这些设置将主动康复至RDAC寄存器;也能够动态康复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特色 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功用 线性递加/递减预界说指令 ±6 dB对数阶梯式递加/递减预界说指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,改写时刻小于1 ms 非易失性存储器写维护 数据保存期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品概况AD5252是一款双通道、数字操控可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可完结与电位计或可变电阻相同的电子调整功用。该器材经过微操控器完结多功用编程,能够供给多种作业与调整方法。在直接编程方法下,能够从微操控器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种首要作业方法下,能够用曾经存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以建立新的游标位时,能够经过履行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就能够主动传输至RDAC寄存器,以便在体系上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜访预设值。根本调整方法便是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特色 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功用 线性递加/递减预界说指令 ±6 dB对数阶梯式递加/递减预界说指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,改写时刻小于1 ms 非易失性存储器写维护 数据坚持才能:100年(典型值,TA = 55°C )产品概况AD5251是一款双通道、数字操控可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可完结与电位计或可变电阻相同的电子调整功用。该器材经过微操控器完结多功用编程,能够供给多种作业与调整方法。在直接编程方法下,能够从微操控器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种首要作业方法下,能够用曾经存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以建立新的游标位时,能够经过履行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就能够主动传输至RDAC寄存器,以便在体系上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜访预设值。根本调整方法便是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特色 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差差错:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电改写EEMEM设置 永久性存储器写维护 电阻容差贮存于EEMEM中 26字节额定非易失性存储器,用于存储用户界说信息 1M编程周期 典型数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度规模:-40℃至+125°C 受操控作基线 一个安装/测验厂 一个制作厂 增强型产品改变告诉 认证数据可应要求供给 V62/11605 DSCC图纸号产品概况AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,生搬硬套1024阶跃分辨率,确保最大低电阻容差差错为±8%。该器材可完结与机械电位计相同的电子调整功用,并且具有增强的分辨率、固态可靠性和超卓的低温度系数功用。经过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵敏的编程才能,支撑多达16种作业方法和调理方法,其间包含暂存编程、存储器存储和康复、递加/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,称颂供给额定的EEMEM1 ,用于存储用户界说信息,如其他元件的存储器数据、查找表、体系标识信息等。...

  信息优势和特色 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时运用EEMEM设置改写 EEMEM康复时刻:140 µs(典型值) 彻底单调性作业 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写维护 游标设置回读功用 预界说线性递加/递减指令 预界说±6 dB/步对数阶梯式递加/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品概况AD5231是一款选用非易失性存储器*的数字操控电位计**,供给1024阶分辨率。它可完结与机械电位计相同的电子调整功用,并且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控才能。该器材功用丰厚,可经过一个规范三线式串行接口进行编程,具有16种作业与调整方法,包含便笺式编程、存储器存储与康复、递加/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息,如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。在便笺式编程方法下,能够将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置能够存储在EEMEM中,并在体系上电时主动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容能够动态康复,或许经过外部PR选通脉冲予以康复;WP功用则可维护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器材,内部密切为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。经过片选( CS )输入使能器材。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用,包含部分和悉数阵列维护。 片上ECC(纠错码)使该器材适用于高可靠性运用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件维护 低功耗CMOS技能 SPI方法(0,0& 1,1) 工业温度规模 自守时写周期 64字节页面写缓冲区 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或一切EEPROM阵列 1,000,000方案/年代se周期 100年数据保存 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,契合RoHS规范 其他辨认具有永久写维护的页面 运用 轿车体系 通讯体系 计算机体系 顾客体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器材,内部密切为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。经过片选( CS )输入使能器材。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用,包含部分和悉数阵列维护。 片上ECC(纠错码)使该器材适用于高可靠性运用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI方法(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写维护的附加标识页(新产品) 自守时写周期 硬件和软件维护 100年数据保存期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技能 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度规模 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器材无铅,无卤素/ BFR,以及契合RoHS规范 运用 轿车体系 Communica tions Systems 计算机体系 顾客体系 工业体系 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器材,内部密切为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技能大大降低了器材的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。该器材经过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用,包含部分和悉数阵列维护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI方法(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自守时写入周期 硬件和软件维护 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技能 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度规模 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器材无铅,无卤素/ BFR,契合RoHS规范...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器材,内部密切为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。经过片选( CS )输入使能器材。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通讯。这些器材具有软件和硬件写维护功用,包含部分和悉数阵列维护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI方法(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自守时写周期 硬件和软件维护 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或悉数EEPROM阵列 低功耗CMOS技能 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度规模 契合RoHS规范的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 运用 轿车体系 通讯体系 计算机体系 顾客体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...