欧宝娱乐平台网站:IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器材
作者:欧宝娱乐下载平台} 发布时间:2022-08-15 08:35:55

  IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器材

  欧洲研讨机构IMEC与其协作伙伴最近成功在200mm规范硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层,两边现在正协作研讨根据氮化镓资料的HEMT(High electron mobility transistor:高电子迁移率晶体管)异质结构晶体管技能。

  这款根据GaN的MIS-HEMT(金属-绝缘层-半导体HEMT)在制造时使用了使用资料公司出产的MOCVD(金属有机物化学气相堆积)设备,不过大部分出产设备均是选用规范的惯例CMOS制造设备。

  一般来说,功率管器材的欧姆触摸触点以及栅极是选用金资料制造,但是在根据GaN的HEMT中假如仍选用金资料制造这些结构则有必要选用特别的CMOS制程工艺。为了防止选用特别工艺,IMEC在制造GaN HEMT的欧姆触摸时,选用的对错金资料,一起将HEMT管子的肖特基型栅极改为非金金属-绝缘层-半导体结构(MIS)栅极.MIS栅极不只能够防止选用特别工艺,并且比较惯例HEMT器材(一般选用肖特基势垒栅极结构)其栅漏电电流也低得多(由于栅极不是与沟道直触摸摸,而是中心存在绝缘层)。